Epitaxie bei reduziertem Druck

Epitaxie bei reduziertem Druck
mažaslėgė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced-pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • épitaxie à pression réduite — mažaslėgė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • mažaslėgė epitaksija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • reduced-pressure epitaxy — mažaslėgė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • эпитаксия при пониженном давлении — mažaslėgė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure epitaxy vok. Epitaxie bei reduziertem Druck, f rus. эпитаксия при пониженном давлении, f pranc. épitaxie à pression réduite, f …   Radioelektronikos terminų žodynas

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  • Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… …   Deutsch Wikipedia

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